非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的優(yōu)點(diǎn)

非晶硅太陽(yáng)能電池之所以受到人們的關(guān)注和重視,是因?yàn)樗哂腥缦轮T多的優(yōu)點(diǎn):

1.非晶硅具有較高的光吸收系數(shù).特別是在0.3-0.75um的可見光波段,它的吸收系數(shù)比單晶硅要高出一個(gè)數(shù)量級(jí).因而它比單晶硅對(duì)太陽(yáng)能輻射的吸收率要高40倍左右,用很薄的非晶硅膜(約1um厚)就能吸收90%有用的太陽(yáng)能.這是非晶硅材料最重要的特點(diǎn),也是它能夠成為低價(jià)格太陽(yáng)能電池的最主要因素。

2.非晶硅的禁帶寬度比單晶硅大,隨制備條件的不同約在1.5-2.0eV的范圍內(nèi)變化,這樣制成的非晶硅太陽(yáng)能電池的開路電壓高。

3.制備非晶硅的工藝和設(shè)備簡(jiǎn)單,淀積溫度低,時(shí)間短,適于大批生產(chǎn).制作單晶硅電池一般需要1000度以上的高溫,而非晶硅電池的制作僅需200度左右。

4.由于非晶硅沒有晶體硅所需要的周期性原子排列,可以不考慮制備晶體所必須考慮的材料與襯底間的晶格失配問題.因而它幾乎可以淀積在任何襯底上,包括廉價(jià)的玻璃襯底,并且易于實(shí)現(xiàn)大面積化。

5.制備非晶硅太陽(yáng)能電池能耗少,約100千瓦小時(shí),能耗的回收年數(shù)比單晶硅電池短很多。